| 发明名称 | 利用光可固化胶的芯片堆栈方法 | ||
| 摘要 | 一种利用光可固化胶的芯片堆栈方法，包含下列各步骤：a)将一第一芯片设于一基板顶面，该第一芯片以打线方式电性连接该基板；b)于该第一芯片顶面形成一光可固化胶层，该光可固化胶层覆设该第一芯片顶面；c)利用曝光使该光可固化胶层固化，使该光可固化胶层由胶态转为固态，该光可固化胶层的固化程度为70至80％；d)对该光可固化胶层加热，致使该光可固化胶层软化而由固态转为半固态且具有黏性；加热温度范围为摄氏50至80度；e)将一第二芯片置于该光可固化胶层顶面，再对该光可固化胶层加热，致使该光可固化胶层由半固态转为固态而完全固化；加热温度范围为摄氏100至150度；最后，该第二芯片以打线方式电性连接该基板。 | ||
| 申请公布号 | CN101499426A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200810008787.0 | 申请日期 | 2008.01.29 |
| 申请人 | 菱生精密工业股份有限公司 | 发明人 | 叶崇茂 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 1、一种利用光可固化胶的芯片堆栈方法，包含下列各步骤：a)将一第一芯片设于一基板顶面，该第一芯片以打线方式电性连接该基板；b)于该第一芯片顶面形成一光可固化胶层，该光可固化胶层覆设该第一芯片顶面；c)利用曝光使该光可固化胶层固化，使该光可固化胶层由胶态转为固态，该光可固化胶层的固化程度为70％至80％；d)对该光可固化胶层加热，致使该光可固化胶层软化而由固态转为半固态且具有黏性；加热温度范围为摄氏50度至80度；以及e)将一第二芯片置于该光可固化胶层顶面，再对该光可固化胶层加热，致使该光可固化胶层由半固态转为固态而完全固化；加热温度范围为摄氏100度至150度；最后，该第二芯片以打线方式电性连接该基板。 | ||
| 地址 | 台湾省台中县 | ||