| 发明名称 | 一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，该两相邻N阱制作在硅衬底中，该两相邻N阱间具有一浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱的深度深于该浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱被一设置在浅沟槽隔离结构下的上层隔离P阱隔开。现有技术中两相邻N阱的离子浓度峰值位置深于上层隔离P阱，致使两相邻N阱间可通过硅衬底穿通漏电，从而使漏电流过大和击穿电压过小。本发明的可提高两相邻N阱间击穿电压的方法通过离子注入工艺在上层隔离P阱下形成一下层隔离P阱。采用本发明后两相邻N阱间的漏电流由N阱间的穿通电流主导变为N/P阱间的PN结漏电流主导，从而降低了两相邻N阱间的漏电流，在保持器件电学特性的同时大大提高了两相邻N阱间的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101499436A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200810033362.5 | 申请日期 | 2008.01.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 朱宝富;施雪捷 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1、一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，该两相邻N阱制作在硅衬底中且该两相邻N阱间具有一浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱的深度深于该浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱被一设置在浅沟槽隔离结构下的上层隔离P阱隔开，其特征在于，该方法通过离子注入工艺在该上层隔离P阱下形成一下层隔离P阱。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||