| 发明名称 | 采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，该单光子源由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、光子晶体微腔、上DBR、p型接触层和上电极构成。其中，该单光子源的光子晶体微腔是半导体量子点光子晶体微腔，且采用二维光子晶格空气孔型光子晶体缺陷腔；该单光子源采用晶片键合技术实现光子晶体微腔和上DBR的结合；该单光子源的电极蒸镀在上DBR的p型接触层的上表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既实现了电注入，又提高了单光子源的发射效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101499617A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200810057178.4 | 申请日期 | 2008.01.30 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郑婉华;刘安金;任刚;邢名欣;渠宏伟;陈良惠 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，该单光子源由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、光子晶体微腔、上DBR、p型接触层和上电极构成。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||