| 发明名称 | 用于半导体制造的栅极掺杂物激活方法 | ||
| 摘要 | 在一实施例中，本发明主要提供一种对沉积在衬底上的掺杂层退火的方法。该方法包括在诸如栅氧化层的衬底表面上沉积多晶硅层，并用掺杂物注入该多晶硅层以形成掺杂的多晶硅层。该方法还包括对该掺杂的多晶硅层进行快速热退火以使该掺杂物很容易地分布在整个多晶硅层中。随后，该方法还包括对该掺杂的多晶硅层用激光退火以激活位于该多晶硅层上部的掺杂物。激光退火使该掺杂物、原子进入该多晶硅材料的晶格中。 | ||
| 申请公布号 | CN100524630C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200580005104.0 | 申请日期 | 2005.02.10 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 马毅;卡莱德·Z·阿梅德;凯文·L·卡宁厄姆;罗伯特·C·麦金托什;阿比拉什·J·马约尔;梁海凡;马克·亚母;托伊·尤·贝姬·莱恩;克里斯托弗·奥尔森;王书林;马耶德·福德;加里·尤金·迈纳 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁 挥 |
| 主权项 | 1. 一种对衬底上的掺杂层退火的方法，包括：在衬底上沉积介电层；对所述介电层进行氮化以在衬底上形成氮化介电层；在所述氮化介电层上沉积多晶硅层；将掺杂物注入所述多晶硅层以形成含有掺杂浓度在1×1019atoms/cm3到1×1021atoms/cm3范围内的掺杂的多晶硅层；对所述掺杂的多晶硅层进行快速热退火；以及在激光退火期间将所述掺杂的多晶硅层加热到1050℃到1415℃范围的温度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||