| 发明名称 | 一种去除半导体制程中氟残留的方法 | ||
| 摘要 | 一种去除半导体制程中氟残留的方法，涉及半导体工艺领域，包括如下步骤：a.用去离子水浸泡相关部件；b.将相关部件烘干。与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明能有效地去除半导体制程中相关部件上的氟残留，避免了由于氟残留造成的晶体缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101497074A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200810033258.6 | 申请日期 | 2008.01.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 姜舜;杨洪春;陈淑美;庄祈龙 |
| 分类号 | B08B3/04(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 罗 朋 |
| 主权项 | 1、一种在半导体制程中去除相关部件中的氟残留的方法，所述相关部件的材质为包括电负性基团的聚合物，其特征在于包括如下步骤：a、用去离子水浸泡相关部件。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||