| 发明名称 | 半导体元件的结构与制造方法 | ||
| 摘要 | 一种高压元件的制造方法，包括先于基底中形成第一导电类型掺杂区，再于基底中形成至少二个第二导电类型掺杂区。二个第二导电类型掺杂区分别设置于第一导电类型掺杂区两侧的基底中。第一导电类型掺杂区与此二个第二导电类型掺杂区之间分别设置有一个隔离区。之后，于二个第二导电类型掺杂区之间的基底上形成一个栅极结构。接着，于栅极结构两侧的基底中形成第二导电类型源极区/漏极区。藉由适当设定第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区间的距离，使高压元件可以满足不同的高击穿电压的需求。此制造方法可以与低压元件的制造整合在一起，而可以降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN100524821C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200510131717.0 | 申请日期 | 2005.12.13 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈立哲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种高压元件的制造方法，包括：提供一基底；于该基底中形成一第一导电类型掺杂区；于该基底中形成至少二第二导电类型掺杂区，其中该二第二导电类型掺杂区设置于该第一导电类型掺杂区两侧的该基底中，且该第一导电类型掺杂区与该二第二导电类型掺杂区之间分别设置有一隔离区；于该二第二导电类型掺杂区之间的基底上形成一栅极结构；以及于该栅极结构两侧的该基底中形成一第二导电类型源极区/漏极区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||