存储器单元，存储器单元排列及制造方法

摘要

本发明涉及存储器单元、存储器单元排列及其制造方法。用于降低埋藏位线电阻值的一导电层(8)或层序列，特别是一金属硅化物或具有一含金属层(15)施加于上的一多晶硅层(14)，配置在具有一ONO存储器层序列(5，6，7)以及沟道中所配置的栅极电极(2)存储器晶体管的源极/漏极区域(3、4)上，其中层或层序列已被图案化成条状，以对应于该位线。该金属硅化物较佳地为硅化钴，该含金属层较佳地为硅化钨或WN/W。

主权项

1. 一种存储器单元，具有：一存储器晶体管；一栅极电极(2)，配置在一半导体本体(1)的一顶面或一半导体层上，并且通过介电材料而与半导体材料分开；以及一源极区域(3)和一漏极区域(4)，形成于该半导体材料中，该栅极电极配置于一沟道中，而该沟道形成于该源极区域(3)和该漏极区域(4)之间的该半导体材料中，其特征在于，至少在该源极区域(3)和该漏极区域(4)之间、以及在该漏极区域(4)和该栅极电极(2)之间，具有包含位于边界层(5，7)间的一存储器(6)层的一层序列；以及提供作为一相对应位线的部分并且被图案化成为一条状的一导电层(8)，该导电层施加至该源极区域(3)和该漏极区域(4)。