| 发明名称 | 制造精细结构的无抗蚀剂光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明系相关于一种制造精细结构的无阻光刻方法，一半导体遮幕层(HM)系被形成于一载体材质(TM、HM’)之上，以及一选择性离子植入(I)系加以实现，以对该半导体屏蔽层(HM)的被选择区域进行掺杂，湿化学移除该半导体屏蔽层(HM)的未掺杂区域系会产生一半导体屏蔽，而其系可被用于更进一步的图案化。透过此方法，则可以获得用于形成结构小于100nm之一简单且高精确度的无阻光刻方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100524618C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN02825806.1 | 申请日期 | 2002.12.10 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·特斯;R·菲哈伯 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;陈景峻 |
| 主权项 | 1. 一种用于在一载体材质中制造精细结构的无抗蚀剂光刻方法，其包括下列步骤：a)准备该载体材质(TM、HM’)，形成一硬掩模层(HM’)以作为该载体材质(TM)的最上层；b)于该载体材质(TM、HM’)上形成一半导体掩模层(HM)；c)实行一选择性离子注入(I)，以对该半导体掩模层(HM)的被选择区域进行掺杂；d)湿化学移除该半导体掩模层(HM)的该已掺杂或未掺杂(HM)区域(1)，以形成一半导体掩模；以及e)利用该已图案化的半导体掩模，实行该载体材质(TM、HM’)的一图案化。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||