发明名称 |
制造电子器件的方法和电子器件 |
摘要 |
一种制造电子器件尤其是一种加速传感器的方法,包括提供具有第一和第二半导体层(12,16)的晶片(10),在其之间具有埋入氧化物层(14),并在第一半导体层(16)中的晶片(10)的一侧上形成半导体器件(如检测电路),并在第二半导体层(12)中的晶片(10)的相反面上形成微电子机械系统(MEMS)器件。 |
申请公布号 |
CN100524614C |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200480003960.8 |
申请日期 |
2004.02.10 |
申请人 |
NXP股份有限公司 |
发明人 |
H·博伊泽恩;S·G·登哈托格;P·J·弗伦奇;K·A·A·马金瓦 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01P15/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
王新华 |
主权项 |
1. 一种制造电子器件的方法,包括:-提供具有第一和相对的第二侧的晶片(10),具有第一和第二半导体层(16,12),在其之间具有至少一个绝缘材料层(14),在该第一侧处提供包括限定在第一半导体中的半导体元件的半导体电路;-通过根据基本上垂直于晶片中的平面而延伸的希望的图案来蚀刻沟槽,并通过释放可移动的电极,来在所述晶片中形成包括可移动的电极和参考电极的微电子机械系统器件,其中沟槽延伸至被选择性移除的绝缘材料层,其特征在于,所述的微电子机械系统器件形成于所述的第二半导体层(12)中,其中从晶片的第二侧向下蚀刻沟槽至绝缘材料层,并且所述电路包括导电接触,其经绝缘层(14)延伸,通过其能使参考电极耦合至电路。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |