| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：层间电介质(ILD)层，形成于半导体衬底上；接触塞，形成于ILD层中，从而接触塞的预定部分在ILD层上方突出；蚀刻停止层，形成于ILD层上，暴露接触塞的顶部；以及电容器的底电极，部分地形成于蚀刻停止层中以通过蚀刻停止层和接触塞而与ILD层隔离以防止与ILD层的直接接触，以及以与接触塞部分地接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100524753C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200510097525.2 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔亨福 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：层间电介质层，形成于半导体衬底上；接触塞，形成于层间电介质层中，从而接触塞的预定部分在层间电介质层上方突出；蚀刻停止层，形成于层间电介质层上，暴露接触塞的顶部；以及电容器的底电极，部分地形成于蚀刻停止层中，通过蚀刻停止层和接触塞而与层间电介质层隔离以防止与层间电介质层的直接接触，而与接触塞部分地接触。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||