发明名称 | 纳米结构传感器 | ||
摘要 | 实施方式的特征在于包括纳米结构的传感器和制造该传感器的方法。在某些实施方式中,传感器包括基板、设置在所述基板上的第一电极和设置在所述基板上的第二电极。所述第二电极与所述第一电极间隔开,并包围所述第一电极。所述传感器包括接触所述第一电极和所述第二电极的至少一个纳米结构,其中所述纳米结构被构成为根据感测对象而改变电特性。 | ||
申请公布号 | CN101501481A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
申请号 | CN200780029581.X | 申请日期 | 2007.08.06 |
申请人 | 首尔大学校产学协力团 | 发明人 | 朴荣俊;千浚豪;徐成旻 |
分类号 | G01N27/12(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/12(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
主权项 | 1、一种传感器,该传感器包括:基板;设置在所述基板上的第一电极;设置在所述基板上的第二电极,所述第二电极与所述第一电极间隔开,并充分包围所述第一电极;以及接触所述第一电极和所述第二电极的至少一个纳米结构,所述至少一个纳米结构被构成为根据感测对象而改变电特性。 | ||
地址 | 韩国首尔 |