存储器编程方法以及数据存取方法

摘要

一种存储器编程方法，适用于具有多个多电平存储器单元的与非闪存。存储器编程方法包括：执行第一编程操作以将多电平存储器单元从初始状态编程至第一目标状态；设定标记位为第一状态以指示对应的多电平存储器单元已执行第一编程操作；执行第二编程操作以将多电平存储器单元从第一目标状态编程至第二目标状态；以及设定标记位为第二状态以指示对应的多电平存储器单元已执行第二编程操作。第一目标状态对应于第一存储数据并且具有第一临界电压范围，而第二目标状态对应于第一存储数据并且具有第二临界电压范围。

主权项

1. 一种存储器编程方法，适用于具有多个多电平存储器单元的一与非闪存，包括：执行一第一编程操作，将上述多电平存储器单元从一初始状态编程至一第一目标状态，其中，上述第一目标状态对应于一第一存储数据并且具有一第一临界电压范围，其中，上述第一临界电压范围介于一第一电压以及一第二电压之间，以及上述第二电压大于上述第一电压；在上述与非闪存设定一标记位为一第一状态以指示对应的上述多电平存储器单元已执行上述第一编程操作；执行一第二编程操作，将上述多电平存储器单元从上述第一目标状态编程至一第二目标状态，其中，上述第二目标状态对应于上述第一存储数据并且具有一第二临界电压范围，其中，上述第二临界电压范围介于上述第二电压以及一第三电压之间，以及上述第三电压大于上述第二电压；以及设定上述标记位为一第二状态以指示对应的上述多电平存储器单元已执行上述第二编程操作。