发明名称 |
功率半导体装置 |
摘要 |
功率半导体模块M由从外部供给单极性电用的框架F1、F5、串联连接在框架F1与F5之间的开关元件S6、S3、将通过各开关元件S6、S3的导通以及切断生成的交流电向外部输出用的框架F2、电连接开关元件S3与框架F5之间用的连接线L3、接近框架F2配置的框架F6、电连接开关元件S3与框架F6之间用的分支线J1等构成,在框架F2的端子W与追加的框架F6的端子T1之间连接外部的缓冲电路SN2。根据这样的结构,能够使用外部的缓冲电路充分抑制模块内部产生的电涌电压。 |
申请公布号 |
CN100524742C |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200710086302.5 |
申请日期 |
2007.03.13 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
白川真也;加藤正博 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王 岳;刘宗杰 |
主权项 |
1. 一种功率半导体装置,具有:用于从外部供给单极性电的第一以及第二框架;串联连接在第一框架和第二框架之间的第一以及第二开关单元;用于将通过各开关单元的导通以及切断生成的交流电向外部输出的输出框架;连接线,用于电连接第一框架与第一开关单元、第一开关单元与输出框架、输出框架与第二开关单元、以及第二开关单元与第二框架中的至少之一;接近输出框架配置的第三框架;分支线,用于电连接第二开关单元与第三框架。 |
地址 |
日本东京都 |