用于在集成电路上制造窄结构的方法

摘要

一种用以在一具有一上表面的衬底上提供一如相变桥的窄直线的制造方法，包括首先在该衬底上形成第一材料层。接着，在该第一材料层之上施加图案化材料层，并定义一图案。此图案包括一阶壁，其具有一实质上延伸至该第一材料层的侧壁。一侧壁蚀刻掩膜形成于该阶壁之上，并用来在该衬底上定义一直线的第一材料，此直线的宽度实质上由侧壁蚀刻掩膜的宽度决定。

主权项

1、一种制造窄结构的方法，包括：提供衬底，该衬底具有上表面；在该衬底上形成第一材料层；在该第一材料层上形成图案化材料层；在该图案化材料层中定义一图案，该图案在该图案化材料中包括一阶壁，该阶壁具有一延伸至该第一材料层的侧壁；在该图案化材料中的该阶壁之上淀积一侧壁材料，并蚀刻该侧壁材料以在该阶壁之上形成一侧壁蚀刻掩膜，该侧壁蚀刻掩膜具有远离该阶壁的第一侧以及接近该阶壁的第二侧，且在一直线内覆盖该第一材料层，该直线的宽度介于该第一侧与第二侧之间；以及利用该侧壁蚀刻掩膜而蚀刻该第一材料层，以在该衬底上定义该第一材料的一直线，该直线的宽度由该侧壁蚀刻掩膜的宽度定义，其中，该图案化材料与该侧壁材料包括绝缘材料，且该第一材料包括存储材料。