发明名称 一种二次电子发射材料钯钡合金及其制备方法
摘要 本发明涉及一种二次电子发射材料钯钡合金及其制备方法。此合金材料的化学成分及重量百分比为:钡含量1.5-4.0%,其余为钯,并且Al≤0.04%,Ca≤0.08%,Mg≤0.02%,Fe≤0.002%,Cu≤0.006%,Si≤0.005%,C≤0.01%,Sr≤0.3%。经熔炼、轧制、退火处理后,制备出性能优良的钯钡合金带材,其微观结构由α(Pd)晶粒和以Pd<sub>5</sub>Ba金属间化合相为主的第二相组成,第二相均匀的分布在Pd基体上。本发明的钯钡合金用作冷阴极材料。
申请公布号 CN100524580C 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200610144001.9 申请日期 2006.11.23
申请人 北京有色金属研究总院;有研亿金新材料股份有限公司 发明人 王欣平;尚再艳;王兴权;杨亚卓;廖赞;孙秀霞;王彬;何金江
分类号 H01J1/32(2006.01)I;C22C5/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;B22D7/00(2006.01)I;B22D21/00(2006.01)I;B21B1/00(2006.01)I;B21B3/00(2006.01)I;B21B23/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I 主分类号 H01J1/32(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人 耿小强
主权项 1、一种二次电子发射材料钯钡合金,其化学成分及重量百分比为:钡:1.5-4.0%,其余为钯;所述二次电子发射材料钯钡合金的微观结构由α钯晶粒和以Pd5Ba金属间化合物为主的第二相组成,第二相形态趋于粒状,且均匀分布在钯基体上。
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