| 发明名称 | 使用薄膜技术制造半导体芯片的方法以及使用薄膜技术的半导体芯片 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种使用薄膜技术制造半导体芯片(1)的方法，其具有以下步骤：将有源的层序列施加到生长衬底(3)上，随后在所述有源的层序列上构造结构化的、反射的导电的接触材料层。接着，将有源的层序列结构化为有源的层堆叠(2)，使得反射的导电接触材料层(4)位于每个有源的层堆叠(2)上。接着柔性的导电膜(6)作为辅助支承层施加到接触材料层(4)并且去除所述生长衬底(3)。 | ||
| 申请公布号 | CN100524856C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200580025465.1 | 申请日期 | 2005.07.20 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 贝特霍尔德·哈恩;福尔克尔·黑勒;斯特凡·凯泽;安德烈亚什·普洛索 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种用于制造薄膜半导体芯片(1)的方法，其具有以下步骤：-将有源的层序列(20)施加到生长衬底(3)上，所述有源的层序列适于产生电磁辐射，-在所述有源的层序列上构造反射的导电的接触材料层(40)，-在所述生长衬底(3)上将包括接触材料层(40)的有源的层序列结构化成相互分离的有源的层复合结构堆叠(21)，-将柔性的导电膜(6)施加到所述反射的导电的接触材料层(4)上，以及-至少部分去除所述生长衬底(3)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||