| 发明名称 | 分段场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种场效应器件的制备方法，包括以下步骤：提供晶体半导体材料的第一层，其中所述第一层设置在绝缘体层上；制备壁和第二层的形成体，其中所述第二层设置在所述第一层上，所述壁设置在所述第二层上，其中所述壁具有内部和外部；以及将所述形成体转移到所述第一层内产生由所述晶体半导体材料组成的内核，所述内核包括所述场效应器件的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。 | ||
| 申请公布号 | CN100524667C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200710109200.0 | 申请日期 | 2004.11.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 张郢;布鲁斯·B·多丽丝;托马斯·萨弗隆·卡纳斯克;杨美基;贾库布·塔德尤斯·科德泽尔斯基 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1. 一种场效应器件的制备方法，包括以下步骤：提供晶体半导体材料的第一层，其中所述第一层设置在绝缘体层上；制备形成体，所述形成体包括壁和第二层，其中所述第二层设置在所述第一层上，所述壁设置在所述第二层上，其中所述壁具有内部和外部；以及将所述形成体转移到所述第一层内产生由所述晶体半导体材料组成的内核，所述内核包括所述场效应器件的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||