发明名称 鳍式接面场效电晶体
摘要 本发明提供一种整合鳍式接面场效电晶体(Fin-JFET)与鳍式金氧半导体场效电晶体(Fin-MOSFET)之方法、装置及系统。一方法实施例包括在一基板上形成至少一个鳍式MOSFET及在该基板上形成至少一个鳍式JFET。
申请公布号 TW200933821 申请公布日期 2009.08.01
申请号 TW097143260 申请日期 2008.11.07
申请人 美光科技公司 发明人 贝德希 艾尔 凯瑞;李奥那多 佛比斯
分类号 H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L21/8234(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国