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发明名称
鳍式接面场效电晶体
摘要
本发明提供一种整合鳍式接面场效电晶体(Fin-JFET)与鳍式金氧半导体场效电晶体(Fin-MOSFET)之方法、装置及系统。一方法实施例包括在一基板上形成至少一个鳍式MOSFET及在该基板上形成至少一个鳍式JFET。
申请公布号
TW200933821
申请公布日期
2009.08.01
申请号
TW097143260
申请日期
2008.11.07
申请人
美光科技公司
发明人
贝德希 艾尔 凯瑞;李奥那多 佛比斯
分类号
H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L29/78(2006.01)
主分类号
H01L21/8234(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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