光电半导体本体及制造光电半导体本体之方法

摘要

一种光电半导体本体，其具有以氮化物-化合物半导体为主之磊晶半导体层序列。此磊晶半导体层序列中包含缓冲层、活性区、和接触层。缓冲层通常未掺杂或至少一部分掺杂成n-导电性。活性区适合用来发出或接收电磁辐射。该接触层配置在缓冲层和活性区之间且掺杂成n-导电性。该接触层中的n-掺杂物质浓度大于该缓冲层中者。半导体层序列中包含一凹口，此凹口经由该缓冲层而延伸，且凹口中配置着电性接触材料，其与该接触层相邻接。此外，本发明提供一种适合用来制造上述半导体本体的方法。