发明名称 积层装置之制造方法
摘要 本发明提供一种可得到即使晶圆之厚度薄也不会破损,积层后全体之厚度薄之积层装置之积层装置之制造方法。该积层装置之制造方法,系使用形成环状补强部之补强晶圆制造积层装置者,包含有:晶圆积层程序,准备基盘晶圆,该基盘晶圆具有比该补强晶圆之该环状补强部内径略小之直径,并且于表面形成有与形成于该补强晶圆之该装置领域之复数沟道及复数装置对应之复数沟道及复数装置,且使该基盘晶圆之表面与该补强晶圆中对应于该装置领域之里面相对向,并且使相互对应之沟道一致接合,形成积层晶圆;电极连接程序,在形成于构成该积层晶圆之该补强晶圆之各装置之电极所在之处,形成通达于形成于该基盘晶圆之各装置之电极之通孔,并且于该通孔埋设导电体,然后连接电极群;及分割程序,在实施该电极连接程序后,沿着沟道切断该积层晶圆,分割成各个积层装置。
申请公布号 TW200933725 申请公布日期 2009.08.01
申请号 TW097143863 申请日期 2008.11.13
申请人 迪思科股份有限公司 发明人 荒井一尚;川合章仁
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本