发明名称 | 场发射电子器件的制备方法 | ||
摘要 | 一种场发射电子器件的制备方法,其包括以下步骤:提供一绝缘基底;在该绝缘基底上分别制备复数个平行且等间隔设置的行电极引线与复数个列电极引线,每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线相互交叉形成一网格;在上述绝缘基底上制备复数个阳极电极与复数个阴极电极,在每个网格中间隔设置一阳极电极与一阴极电极;形成一奈米碳管薄膜结构覆盖于上述设置有电极和电极引线的绝缘基底上;切割奈米碳管薄膜结构,使阳极电极与阴极电极之间的奈米碳管薄膜结构断开,形成复数个平行排列的奈米碳管长线固定于阴极电极上作为阴极发射体,从而得到一场发射电子器件。 | ||
申请公布号 | TW200933692 | 申请公布日期 | 2009.08.01 |
申请号 | TW097102840 | 申请日期 | 2008.01.25 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 |
分类号 | H01J9/04(2006.01) | 主分类号 | H01J9/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |