半导体瓷器组成物

摘要

本发明提供一种半导体瓷器组成物，系BaTiO#sB!3#eB!的Ba之一部分以Bi-Na取代者，其系可于维持低室温电阻率之下任意地控制跃升(jump)特性之半导体瓷器组成物。本发明系作成为BaTiO#sB!3#eB!的Ba之一部分以Bi-Na取代，且于结晶粒界具有P型半导体之半导体瓷器组成物，藉由预烧条件、添加物之添加量、烧结条件等而改变P型半导体的存在比例，藉此，于维持高跃升特性之下可任意地控制室温电阻率。