制造薄膜电晶体之方法

摘要

本发明提供一种制造具有改善电流特性及高电子迁移率薄膜电晶体之方法。根据本方法，当一非晶矽薄膜藉由金属诱导结晶法结晶形成多晶矽薄膜，非晶矽薄膜的回火条件及金属触媒掺杂入非晶矽薄膜的数量系被最适化，以减少金属矽化物区域在多晶矽薄膜中的晶粒边界。另外，氧气或水蒸气被提供于多晶矽薄膜的表面形成一钝化薄膜。