信号转换装置

主权项

1.一种信号转换装置，包含：一基板，具有一第一表面与一第二表面，该第一表面设置包含至少一第一接点与至少一第二接点之一第一接点区域，该第二表面设置包含至少一第三接点与至少一第四接点之一第二接点区域，其中，该第一接点与第三接点有电性连接，且该第二接点与该第四接点电性连接一藉由晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)之积体电路；其中，该积体电路设置于该第一表面或该第二表面。2.一种信号转换装置，包含：一基板，具有一第一表面与一第二表面，该第一表面设置包含至少一第一接点与至少一第二接点之一第一接点区域，该第二表面设置包含至少一第三接点与至少一第四接点之一第二接点区域，其中，该第一接点与第三接点有电性连接，且该第二接点与该第四接点电性连接一藉由覆晶薄膜制程(COF)之积体电路；其中，该积体电路设置于该第一表面或该第二表面。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之信号转换装置，其中前述积体电路转换该第二接点与该第四接点之间的信号。4.如申请专利范围第3项所述之信号转换装置，其中前述信号为资料信号。5.如申请专利范围第1项或第2项所述之信号转换装置，其中前述第一接点与第三接点之电性连接为电性接地。6.如申请专利范围第1项或第2项所述之信号转换装置，其中前述第一接点与第三接点之电性连接为电源连接。7.如申请专利范围第1项或第2项所述之信号转换装置，其中前述第一接点与第二接点用以电性连接于一SIM卡。8.如申请专利范围第1项或第2项所述之信号转换装置，其中前述第三接点与第四接点用以电性连接于一可携式通讯装置。9.如申请专利范围第1项或第2项所述之信号转换装置，其中前述基板之一隅具有一防呆设计。10.如申请专利范围第7项所述之信号转换装置，其中前述第一表面利用黏贴方式用以结合该SIM卡。11.如申请专利范围第9项所述之信号转换装置，其中前述积体电路设置之位置介于该第一接点区域与该防呆设计之隅之间或介于该第二接点区域与该防呆设计之间。12.如申请专利范围第9项所述之信号转换装置，其中前述积体电路设置之位置介于该第二接点区域与该防呆设计之隅之间。13.如申请专利范围第1项所述之信号转换装置，其中前述积体电路之厚度不大于350μm。14.如申请专利范围第1项所述之信号转换装置，其中前述积体电路不含锡球之厚度不大于260μm。15.如申请专利范围第1项所述之信号转换装置，其中前述积体电路之表面具有一覆盖层。16.如申请专利范围第1项所述之信号转换装置，其中前述覆盖层之厚度不大于40μm。17.如申请专利范围第2项所述之信号转换装置，其中前述积体电路之厚度不大于280μm。图式简单说明：第一图系本创作之一实施例之正面图。第二图系第一图实施例之反面图。第三图系第一图实施例与一SIM卡之侧视图。第四图系本创作之另一实施例之正面图。第五图系第四图实施例之反面图。第六图系第四图实施例与一SIM卡之侧视图。第七图系本创作中一藉由晶圆级晶片尺寸封装之积体电路侧视图。第八图系本创作中一藉由覆晶薄膜制程之积体电路部分侧视图。