| 摘要 |
一种半导体装置的制造方法，包括于半导体基板11内形成作为杂质区域之埋入式通道12的工程、于埋入式通道12的上部隔着氧化膜14一样地形成光阻层的工程、使用光透射比往电荷之转移方向变化的光栅罩幕对光阻层曝光的工程、对已曝光的光阻层显影而形成具有梯度之光阻罩幕的工程、隔着上述工程形成的光阻罩幕在埋入式通道12内植入离子，以形成具有浓度梯度之第一杂质区域13的工程、以及除去光阻罩幕后在第一杂质区域13上的预定位置隔着氧化膜14配置转移电极15的工程，且根据形成第一杂质区域13的工程形成之电位剖面往电荷转移方向变深。 |
