发明名称 包含高密度无凸块建立层及较小密度核心或无核心基底之积体电路封装
摘要 在一些实施例中,提出积体电路封装包含高密度无凸块建立层及较小密度核心或无核心基底。针对此,介绍一种设备,具有第一元件,其包括具有主动表面及至少一侧之微电子晶粒、与该至少一微电子晶粒侧相邻之密封材料,其中该密封材料包括与该微电子晶粒主动表面实质上平面的至少一表面、设置在该微电子晶粒主动表面及该密封材料表面的至少一部分上之第一介电质材料层、设置在该第一介电质材料层上之复数建立层以及设置在该第一介电质材料层及该些建立层上并与该微电子晶粒主动表面电接触之复数导电迹线;与该第一元件耦合之第二元件,该第二元件包括基底,其具有复数介电质材料层以及将上表面上的导电接点与下表面上的导电接点导电性耦合之导电迹线,在该上表面上的该些导电接点与该第一元件之该些导电迹线导电性耦合。亦揭露其他实施例并主张其之专利权。
申请公布号 TW200933843 申请公布日期 2009.08.01
申请号 TW097136112 申请日期 2008.09.19
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 史基特 欧斯瓦;马哈加 拉米;格柴克 约翰
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L23/28(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国