ＳＩＭＯＸ晶圆制造方法及ＳＩＭＯＸ晶圆

摘要

SIMOX晶圆制造方法，其能够提供蚀刻条件以避免表面缺陷（凹陷）被延展。该方法包括：氧布植处理（S01）和高温退火步骤（S04），用以形成BOX层（W4）；前表面氧化物膜蚀刻处理（S16），用以在其中布植氧的区域上处理该晶圆的前表面（WS1）；以及后表面氧化物膜蚀刻处理（S15），用以处理该晶圆的后表面（WS2），并且在该前和后氧化物膜蚀刻处理之氧化物膜蚀刻条件系不同地控制。