供在半导体总成中晶粒结合用之具有高沸点溶剂与低沸点溶剂的黏着剂组成物及以其制备之黏合膜

摘要

揭露一种供半导体总成中晶粒结合用之黏着剂组成物，其包括一种二元溶剂，其包含具有自0至100℃范围的低沸点之一溶剂与具有自140至200℃范围的高沸点之另一溶剂；此外，揭露自其所制备之一黏合膜。揭露内容中的黏合膜所含的残余溶剂低于2％，即使该膜可硬化部份的量增加，亦可同时满足该膜之延性结构与增进抗张强度，藉此增进硬度同时避免该膜被切割。监于引发孔洞的挥发性成份具有高沸点，因而在半导体总成中大幅降低因溶剂挥发作用所产生之孔洞。结果，黏合膜降低在膜表面上所产生的间隙或孔洞之体积膨胀作用，藉此确保该膜的极佳可靠度。