ＩＩＩ族氮化物构造体及ＩＩＩ族氮化物半导体微细柱状结晶之制造方法

摘要

本发明系一种III族氮化物构造体，其系含形成于基板（102）表面既定区域之具有由金属所构成之表面之膜（108）、与至少形成于基板（102）表面上之由III族氮化物半导体所构成之微细柱状结晶（110），而在并未形成该膜（108）之该基板（102）表面上，该微细柱状结晶（110）之空间占有率系高于该膜（108）上。