随机存取记忆体架构

摘要

一种随机存取记忆体架构，以单一「行(column)」作为架构之代表，其中系包括： 一读/写控制讯号、一读/写控制电晶体区块、一等化电晶体区块、一典型六电晶体型记忆体细胞区块、一感测放大器区块、一行选取电晶体区块与一写入驱动器。其中，该等化电晶体区块系用以进行等化动作；该典型六电晶体型记忆体细胞区块用以作为资料被写入与储存资料的场所；该感测放大器区块用以将所储存的资料正确读出；该写入驱动器系用以进行写入资料之动作，藉以，有效提升读取静态相位杂讯限度且几乎不增加复杂度与面积并降低操作功耗。