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发明名称
具有晶粒接收穿孔之晶圆级封装及其制造方法
摘要
本发明系揭露一种封装结构,包含:一基底,具有晶粒接收穿孔、电性连接穿孔构造,其中该电性连接穿孔系耦合至该基底上表面上之第一接触垫以及该基底下表面上之第二接触垫;至少一晶粒,具有金属接垫且配置于该晶粒接收穿孔之内;一围绕材料,形成于该晶粒之下以及填入该晶粒与该晶粒接收穿孔间之空隙;一重布层,形成于该晶粒、该基底及该围绕材料之上且耦合至该晶粒之该金属接垫以及该第一接触垫;以及一绝缘底座,具有黏着材料且形成于该重布层之上。
申请公布号
TW200933844
申请公布日期
2009.08.01
申请号
TW097141448
申请日期
2008.10.28
申请人
育霈科技股份有限公司
发明人
杨文焜
分类号
H01L23/48(2006.01);H01L21/56(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
林静文
主权项
地址
新竹县湖口乡新竹工业区光复北路65号
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