成膜装置的控制方法，成膜方法，成膜装置，有机ＥＬ电子装置及容纳其控制程式的记忆媒体

摘要

本发明的课题是在于迅速地在有机层与阴极的界面附近插入功函数低的材料。其解决手段是PM1具有：处理容器（100）；蒸镀装置（200），其系加热有机材料而使气化；第1气体供给路（150），其系连通至第1蒸镀源，使在第1蒸镀源所被气化的有机材料藉由惰性气体来传输；分配器（Ds），其系设于处理容器外，加热功函数比形成阴极的第1金属更小的第2金属而使气化；第2气体供给路（320），其系连通至分配器，使在分配器所被气化的第2金属藉由惰性气体来传输；及吹出机构（120f），其系连通至各气体供给路（150、320），使被气化的第2金属混入被气化的有机材料，而使朝向处理容器内的被处理体吹出，及控制器（50），其系控制混入被气化的有机材料之上述被气化的第2金属的比例。