发明名称 微晶矽薄膜电晶体结构及其制造方法
摘要 本发明提供一种上闸极式微晶矽薄膜电晶体及其制造方法,其反转通道系形成于其微晶矽主动层上方介面,而与该微晶矽主动层下方介面的孕核层分开。本发明之该反转通道形成在该微晶矽主动层上方介面结晶性薄膜中,因而使本发明微晶矽薄膜电晶体具有较好的电性及可靠度。
申请公布号 TW200933892 申请公布日期 2009.08.01
申请号 TW097102563 申请日期 2008.01.23
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 蔡政儒;陈柏求;时定康;黄俊杰;叶永辉
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/8232(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 郭雨岚;林发立
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号