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发明名称
感测记忆体单元
摘要
本揭示案包括用于操作记忆体单元之方法、器件、模组及系统。一方法实施例包括施加一斜坡电压(503)至一记忆体单元之一控制闸极(505)及一类比至数位转换器(ADC)(507)。一方法之该前述实施例亦包括至少部分地回应于该斜坡电压何时引起该记忆体单元跳脱感测电路(511)而侦测ADC(515)之一输出。
申请公布号
TW200933644
申请公布日期
2009.08.01
申请号
TW097147195
申请日期
2008.12.04
申请人
美光科技公司
发明人
维索 沙林;许荣生;法兰奇F 路帕华;吉里欧 吉塞普 玛洛塔
分类号
G11C7/14(2006.01)
主分类号
G11C7/14(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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