生产半导体结构之方法

摘要

一种生产半导体结构之方法，其包含在一第一矽基材上提供一透过将碳注入矽中所产生之含有单晶3C-SiC层的3C-SiC半导体层结构，以及将一适于产生光电元件之氮化物化合物半导体的磊晶层施用于该3C-SiC半导体层结构上，其中透过将一氮化物层结合到一第二基材表面上而将该氮化物化合物半导体之磊晶层转移到该第二基材上，并且以机械或化学手段除去该3C-SiC半导体层结构中之矽和含有SiC的层，该第二基材为一具有反射率高于或等于80％之高反射率的金属合金或者一实质上透明之基材。