发明名称 | 画素结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种画素结构,包括一扫描线、一资料线、一主动元件、一第一保护层、一第二保护层及一画素电极。扫描线具有一第一扫描金属层及一第二扫描金属层。资料线与扫描线交错排列并形成一交错处,其中资料线包括一第一资料金属线段及一第二资料金属层。第一资料金属线段与扫描线设置于与交错处距一第一距离之处,第二资料金属层设置于交错处及第一资料金属线段上。主动元件电性耦接资料线及扫描线,包括一闸极、一绝缘层、一通道层、一源极与一汲极。绝缘层部分位于闸极上,通道层位于闸极上方之绝缘层上。源极与汲极位于通道层上,源极耦接资料线。第一保护层及第二保护层覆盖主动元件并形成一第一接触孔以露出部分汲极,第二保护层系覆盖于汲极之部分边缘。画素电极越过第二保护层并藉由第一接触孔与汲极耦接。 | ||
申请公布号 | TW200933271 | 申请公布日期 | 2009.08.01 |
申请号 | TW097103007 | 申请日期 | 2008.01.25 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 方国龙;林祥麟;廖金阅 |
分类号 | G02F1/136(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | G02F1/136(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |