| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung stellt eine Halbleitervorrichtung bereit, die eine Halbleiterschicht (2) eines ersten Leitungstyps mit einer ersten und einer zweiten Oberfläche enthält. Die Halbleiterschicht enthält einen Basisbereich (3) eines zweiten Leitungstyps, der in der ersten Oberfläche ausgebildet ist, und einen Emitterbereich (4) des ersten Leitungstyps, der in dem Basisbereich (3) ausgebildet ist. Die Halbleitervorrichtung enthält auch eine Pufferschicht (1) des ersten Leitungstyps, die auf der zweiten Oberfläche der Halbleiterschicht (2) ausgebildet ist, sowie eine Kollektorschicht (8) des zweiten Leitungstyps, die auf der Pufferschicht (1) ausgebildet ist. Die Pufferschicht (1) weist eine maximale Konzentration der darin enthaltenen Dotierungen des ersten Leitungstyps von etwa 5 × 1015 cm-3 oder weniger auf, und die Kollektorschicht (8) weist eine maximale Konzentration der darin enthaltenen Dotierungen des zweiten Leitungstyps von etwa 1 × 1017 cm-3 oder mehr auf. Weiter ist das Verhältnis zwischen der maximalen Konzentration der Kollektorschicht (8) und der maximalen Konzentration der Pufferschicht (1) grösser als 100. Die Kollektorschicht (8) hat eine Dicke von etwa 1 µm oder weniger. |
