| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Driftschicht (2) eines ersten Leitungstyps mit einer ersten und einer zweiten Oberfläche. Diese Driftschicht besteht aus<br />- einem Basisbereich (3) eines zweiten Leitungstyps, der in der ersten Oberfläche ausgebildet ist,<br />- einem Emitterbereich (4) des ersten Leitungstyps, der im Basisbereich (3) der ersten Oberfläche ausgebildet ist,<br />- einer Pufferschicht (1) des ersten Leitungstyps, die auf der zweiten Oberfläche der Driftschicht (2) ausgebildet ist,<br />- einem Kollektorbereich (8) des zweiten Leitungstyps, der in der Pufferschicht (1) der zweiten Oberfläche ausgebildet ist,<br />- einem Schutzring (10) des zweiten Leitungstyps, der in der Pufferschicht (1) der zweiten Oberfläche so ausgebildet ist, dass er den Kollektorbereich (8) umgibt. |
