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Ein Verfahren enthält: das Erzeugen von Elektronenstrahlbelichtungsdaten, die zur Elektronenstrahlbelichtung verwendet werden, von Konstruktionsdaten einer Halbleitervorrichtung; das Extrahieren von Differentialinformationen, die eine Differenz angeben in der Form zwischen einem Elektronenstrahlbelichtungsmuster, das durch Elektronenstrahlbelichtung auf der Basis der Elektronenstrahlbelichtungsdaten auf einem Substrat gebildet wird, und einem Photobelichtungsmuster, das durch Photobelichtung auf der Basis der Konstruktionsdaten der Halbleitervorrichtung auf dem Substrat gebildet wird; das Bestimmen, ob die Größe der Differenz in der Form zwischen dem Elektronenstrahlbelichtungsmuster und dem Photobelichtungsmuster innerhalb eines vorbestimmten Referenzwertes liegt; das Erfassen von formveränderten Belichtungsdaten durch Verändern der Form des Musters der Elektronenstrahlbelichtungsdaten gemäß den Differentialinformationen und Aktualisieren der Elektronenstrahlbelichtungsdaten; und das Wiederholen der Differentialextraktion, der Bestimmung und der Aktualisierung, wenn die Größe der Differenz außerhalb des vorbestimmten Referenzwertes liegt.
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