Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur

摘要

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterstruktur, umfassend eine n-Metallisierung und eine p-Metallisierung (7) sowie ein Halbeitersubstrat mit einem n-dotierten Basisbereich und einem zumindest teilweise daran angrenzenden p-dotierten Emitterbereich (2), zur Ausbildung eines Emitter/Basis-pn-Übergangs, wobei der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise in etwa parallel zu einer Emitter-Oberfläche (2b) des Halbleitersubstrates erstreckt und die n-Metallisierung mit dem Basisbereich und die p-Metallisierung (7) mit dem Emitterbereich (2) elektrisch leitend verbunden ist. Wesentlich ist, dass die Halbleiterstruktur zusätzlich einen n-dotierten Passivierungsbereich (5) umfasst, welcher zumindest teilweise zwischen der Emitter-Oberfläche (2b) und dem Emitterbereich (2) angeordnet ist, wobei der Passivierungsbereich (5) weder mit der n-Metallisierung noch mit der p-Metallisierung (7) elektrisch leitend verbunden ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung solch einer Halbleiterstruktur.