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Ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung beinhaltet: Ausbilden eines ersten Grabens in einer Rückseite eines Halbleiterwafers, wobei der erste Graben eine sich teilweise durch eine Dicke des Halbleiterwafers erstreckende Tiefe aufweist, Beschichten der Rückseite mit einer Schicht aus Beschichtungsmaterial, einschließlich Füllen des ersten Grabens mit dem Beschichtungsmaterial, und Ausbilden eines zweiten Grabens in einer Vorderseite des Halbleiterwafers, wobei der zweite Graben ausgerichtet ist auf und eine Breite kleiner als eine Breite des ersten Grabens aufweist, und wobei der zweite Graben eine sich mindestens teilweise durch einen übrigen Abschnitt des Halbleiterwafers erstreckende Tiefe aufweist, um mit dem den ersten Graben füllenden Beschichtungsmaterial in Kommunikation zu stehen.
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