| 摘要 |
Ausführungsbeispiele der Erfindung betreffen im Allgemeinen einen integrierten Schaltkreis mit einer Speicherzellenanordung und ein Verfahren zum Lesen eines Speicherzellenzustands unter Verwendung einer Mehrzahl von Teil-Leseoperationen. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein integrierter Schaltkreis mit einer Speicherzellenanordnung bereitgestellt. Die Speicherzellenanordnung kann mindestens eine Speicherzelle aufweisen, wobei die Speicherzelle eingerichtet ist zum Speichern einer Mehrzahl von Speicherzellenzuständen, welche voneinander unterscheidbar sind mittels einer vordefinierten Anzahl von Speicherzellen-Schwellenwerten, und eine Steuerung, die eingerichtet ist zum Lesen eines Speicherzellenzustands der mindestens einen Speicherzelle unter Verwendung einer Anzahl von Referenz-Pegeln, die größer ist als die vordefinierte Anzahl von Speicherzellen-Schwellenwerten, wobei das Lesen aufweist eine erste Teil-Leseoperation unter Verwendung eines ersten Satzes einer Mehrzahl von Referenz-Pegeln, und eine zweite Teil-Leseoperation unter Verwendung eines zweiten Satzes einer Mehrzahl von Referenz-Pegeln, wobei der zweite Satz eine Mehrzahl von Referenz-Pegeln mindestens einen Referenz-Pegel aufweist, welchedr unterschiedlich ist zu den Referenz-Pegeln des ersten Satzes einer Mehrzahl von Referenz-Pegeln.
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