镍硅化方法及其结构

摘要

在镍层被沉积到集成电路晶体管的源极、漏极和栅极上之后，其中镍层上没有盖层，通过对晶体管退火在其源极(2)、漏极(3)和多晶硅栅极(5)上形成镍硅化物接触区域。利用铬蚀刻工艺以从栅极和源极以及栅极和漏极之间的介电隔离层(6A、B)的暴露表面去除未反应的镍和镍残余物，栅极与源极和/或漏极之间的镍硅化物搭接被避免或者被消除。铬蚀刻工艺包括溶液的使用，所述溶液包括硝酸铈铵、硝酸和醋酸。

主权项

1.一种集成电路结构，其包括：具有表面的硅层；晶体管的源极区和漏极区，所述晶体管在所述硅层中设置于所述硅层表面；栅极介电层，其设置在位于所述源极区和所述漏极区之间区域的所述硅层的所述表面上；多晶硅栅电极，其设置在所述栅极介电层上；第一介电隔离层，其沿所述多晶硅栅电极的边缘设置在所述硅层的所述表面上，和第二介电隔离层，其沿所述多晶硅栅电极的另一个边缘设置在所述硅层的所述表面上；氧化物层和所述氧化物层中的开口，其暴露出所述源极区和漏极区，并且也暴露出所述多晶硅栅电极的至少一部分，且还暴露出所述第一和第二介电隔离层的表面；设置在所述源极区上的第一镍硅化物层，其覆盖所述源极区的表面，和设置在所述漏极区上的第二镍硅化物层，其覆盖所述漏极区的表面；第三镍硅化物层，其设置在所述多晶硅栅电极上并且覆盖所述多晶硅栅电极；所述第一和第二介电隔离层的表面，镍硅化物已从其上被剥落，所述表面上已经完全没有镍硅化物的残余物。