| 发明名称 | 具有漏电流补偿电路的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括具有多个晶体管的电流镜电路；被构造为将恒定参考电流通过节点提供给该电流镜电路的电流源；以及被构造为将补偿电流提供给该节点的补偿电路，以补偿多个晶体管的至少一部分栅极漏电流。该补偿电路可以提供等于栅极漏电流的总和的补偿电流。 | ||
| 申请公布号 | CN100520667C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200510118188.0 | 申请日期 | 2005.11.11 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 长谷川贤 |
| 分类号 | G05F3/26(2006.01)I;G05F1/62(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：包含多个晶体管的电流镜电路；电流源，其构造为通过一节点向所述电流镜电路提供恒定参考电流；以及补偿电路，其构造为向所述节点提供补偿电流，以补偿所述多个晶体管的至少一部分栅极漏电流，其中所述补偿电路包括：MOS晶体管，其具有基本上等于所述多个晶体管的栅极面积的总和的面积的栅极，并构造为基于施加到所述MOS晶体管的栅极的预定电压来产生所述补偿电流。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||