发明名称 半导体存储器和存储器系统
摘要 本发明公开了一种半导体存储器和系统装置。模式寄存器的寄存部分具有多个操作设置部分,在这些操作设置部分中,多种类型的操作规范分别被设置来操作半导体存储器。当至少寄存部分的1位的值代表复位状态时,该模式寄存器输出软复位信号。复位信号发生器响应于软复位信号输出复位信号,以使内部电路复位。在本发明中,要求控制半导体存储器的系统必须利用模式寄存器的设置命令来指定预定位,以便生成软复位信号。由此,可以利用外部控制使内部电路可靠地复位。
申请公布号 CN100520963C 申请公布日期 2009.07.29
申请号 CN200510084170.3 申请日期 2005.07.14
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 西村幸一;山田伸一;野村幸弘
分类号 G11C11/401(2006.01)I;G11C11/409(2006.01)I 主分类号 G11C11/401(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 赵淑萍
主权项 1. 一种半导体存储器,包括:存储单元阵列;模式寄存器,其具有寄存部分,所述寄存部分包括用来设置突发长度、操作模式和读等待时间的三个操作设置部分,在这三个操作设置部分中,多种类型的操作规范分别被设置来操作所述半导体存储器,所述模式寄存器的所述寄存部分根据与用于设置所述模式寄存器的所述寄存部分的模式寄存器设置命令一起提供的外部地址信号和外部数据信号中的至少一个而被设置,并且当所述寄存部分的至少一位的值代表复位状态时,所述模式寄存器输出软复位信号;操作控制电路,其根据设置在所述模式寄存器中的所述操作规范来访问所述存储单元阵列;命令控制电路,其对通过命令接头提供的外部命令进行译码,并且当所述外部命令是所述模式寄存器设置命令时,改变所述寄存部分的值;复位信号发生器,其响应于所述软复位信号输出复位信号;和由所述复位信号复位的内部电路。
地址 日本东京都