发明名称 |
电子元件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制造电子元件的方法,可以改善元件的耐久性而不会降低元件的最初性能。本发明的制造电子元件的方法包括:在第1电极上形成第1有机层的第1有机层形成步骤;和在第1有机层上形成第2有机层的第2有机层形成步骤,其中该方法还包括在第1有机层形成步骤之前加热第1电极的加热步骤,并且,该第1有机层形成步骤至少包括在该加热的第1电极上进行蒸镀以形成第1有机层的蒸镀步骤以及冷却该第1有机层的冷却步骤。 |
申请公布号 |
CN100521280C |
申请公布日期 |
2009.07.29 |
申请号 |
CN200610009206.6 |
申请日期 |
2006.02.14 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
高谷格;木村俊秀 |
分类号 |
H01L51/40(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
陈 昕 |
主权项 |
1. 制造有机发光元件的方法,包括:在第1电极上形成第1有机层的第1有机层形成步骤,其中第1有机层为空穴输送层;和在第1有机层上形成第2有机层的第2有机层形成步骤,其中第2有机层为发光层,其中该方法还包括在第1有机层形成步骤之前加热第1电极的加热步骤,并且,该第1有机层形成步骤包括在该加热的第1电极上进行蒸镀以形成第1有机层的蒸镀步骤以及冷却该第1有机层的冷却步骤,其中,在第1有机层的蒸镀步骤中,第1电极的最高温度Ta高于等于100℃、低于形成第1有机层的有机物质熔点或玻璃化转变温度。 |
地址 |
日本东京 |