增益可变型放大器

摘要

本发明是具有利用信号放大用场效应晶体管进行高频信号的放大的结构的增益可变型放大器。它具备：输入阻抗校正装置，在上述信号放大用场效应晶体管的输入侧，用于在增益可变时进行输入阻抗的校正；输出阻抗校正装置，在上述信号放大用场效应晶体管的输出侧，用于在增益可变时进行输出阻抗的校正；以及放大器旁路装置，在增益可变时把上述信号放大用场效应晶体管旁路，使高频输入信号旁通至输出侧。无论有无增益可变，输入输出端的电压驻波比(VSWR)良好，并且可以任意设定增益衰减量。另外，在增益可变时，即使强电场的高频信号输入增益可变型放大器，也能够得到良好的输入输出功率特性。

主权项

1. 一种增益可变型放大器，具有利用信号放大用场效应晶体管进行高频信号的放大的结构，其特征在于：上述信号放大用场效应晶体管是双栅型的，其第1栅端子经放大用FET输入侧隔直流用电容器和输入阻抗匹配电路与高频信号输入端子连接，另一方面，其漏端子经输出阻抗匹配电路和放大用FET输出侧隔直流用电容器与高频信号输出端子连接，放大器旁路用场效应晶体管的源端子经旁路用FET源侧隔直流用电容器同上述输入侧电容器与上述输入阻抗匹配电路的连接点连接，另一方面，该放大器旁路用场效应晶体管的漏端子经旁路用FET漏侧隔直流用电容器同上述信号放大用场效应晶体管的漏端子与上述输出阻抗匹配电路的连接点连接，输入阻抗校正用场效应晶体管的漏端子经第1校正用FET侧隔直流用电容器和第1校正用FET侧电阻器同上述输入阻抗匹配电路与放大用FET输入侧隔直流用电容器的连接点连接，另一方面，该输入阻抗校正用场效应晶体管的源端子经第1校正用FET侧旁路电容器与地连接，输出阻抗校正用场效应晶体管的漏端子经第2校正用FET侧隔直流用电容器和第2校正用FET侧电阻器同上述信号放大用场效应晶体管的漏端子与上述输出阻抗匹配电路的连接点连接，另一方面，该输出阻抗校正用场效应晶体管的源端子经第2校正用FET侧旁路电容器与地连接，上述放大器旁路用场效应晶体管、上述输入阻抗校正用场效应晶体管和上述输出阻抗校正用场效应晶体管各自的栅端子经各个电阻器与地连接，上述放大器旁路用场效应晶体管、上述输入阻抗校正用场效应晶体管和上述输出阻抗校正用场效应晶体管的漏端子和源端子经各电阻器与第1控制电压施加端子连接，上述信号放大用场效应晶体管的源端子经电感器与第2栅端子和偏置开关用场效应晶体管的漏端子连接，同时该源端子经电容器与地连接，上述偏置开关用场效应晶体管的源端子经自偏置电阻器与地连接，另一方面，其栅端子经栅偏置电阻器与第2控制电压施加端子连接。