发明名称 半导体存储器
摘要 本发明涉及一种半导体存储器。所述半导体存储器包括:具有存储单元的存储器内核;定时器,从接收到外部访问信号开始的预定时间之后输出访问请求信号;刷新请求电路,输出用于刷新存储单元的刷新请求;刷新保持电路,保持刷新请求;以及刷新屏蔽电路,在存储器内核不在进行操作或者定时器不在测量所述预定时间时,输出刷新请求作为刷新开始信号,并且在存储器内核正在进行操作或者定时器正在测量所述预定时间时,禁止输出刷新开始信号,并响应于下一个外部访问信号输出禁止输出的所述刷新开始信号,其中所述预定时间比内核操作时间长。
申请公布号 CN100520962C 申请公布日期 2009.07.29
申请号 CN03814798.X 申请日期 2003.02.20
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 中村俊和;江渡聪;三代俊哉
分类号 G11C11/401(2006.01)I 主分类号 G11C11/401(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李 辉
主权项 1、一种半导体存储器,其包括:存储器内核,该存储器内核具有易失性的存储单元,所述存储单元由用于保持数据的电容器构成;定时器,该定时器从接收到外部访问信号开始测量预定时间,并且在经过所述预定时间之后输出访问请求信号,所述外部访问信号用于使所述存储器内核执行读取操作,所述访问请求信号用于使所述存储器内核进行操作;刷新请求电路,该刷新请求电路周期性地输出用于刷新所述存储单元的刷新请求;刷新保持电路,该刷新保持电路保持所述刷新请求;以及刷新屏蔽电路,该刷新屏蔽电路在所述存储器内核不在进行操作或者所述定时器不在测量所述预定时间时,输出保持在所述刷新保持电路中的刷新请求作为刷新开始信号,而在所述存储器内核正在进行操作或者所述定时器正在测量所述预定时间时,禁止输出所述刷新开始信号,并响应于下一个外部访问信号输出禁止输出的所述刷新开始信号,其中所述预定时间比内核操作时间长,该内核操作时间是所述存储器内核执行一个读或写操作所花费的时间。
地址 日本东京都