| 发明名称 | 重复利用衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于重复利用由于注入处理而在表面具有残留物并具有剥离形貌的衬底的方法。该方法包括从衬底上将残留物切断到基本等于剥离形貌的水平高度，以在衬底上获得基本均匀的平坦表面；以及抛光衬底的整个表面，以消除缺陷并制备能与另一个衬底进行分子焊接的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN100521098C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200510112843.1 | 申请日期 | 2003.12.05 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 法布里斯·勒泰特;克里斯托夫·马勒维尔;蒂博·莫里斯;卡洛斯·马祖拉;弗雷德里克·梅特拉尔 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1、一种重复利用由于离子注入处理而在表面具有残留物并具有剥离形貌的衬底的方法，包括：从衬底上将残留物切断到基本等于剥离形貌的水平高度，以在衬底上获得基本均匀的平坦表面；以及抛光衬底的整个表面，以消除缺陷并制备能与另一个衬底进行分子焊接的表面。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||