能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法

摘要

本发明公开了一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层，然后采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化，相对于现有工艺，此法操作简单，且粗化效果更为理想。

主权项

1.一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其特征在于包括步骤：1)在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层；2)采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化。